Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 2

GP2D003A060C

Stock Part: 124592

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D008A120A

Stock Part: 12482

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 24A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D005A065A

Stock Part: 43140

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D012A065A

Stock Part: 12864

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D006A060A

Stock Part: 18126

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D020A060B

Stock Part: 10017

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 58A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D005A060A

Stock Part: 32164

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D012A060D

Stock Part: 9856

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D006A060C

Stock Part: 22992

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D008A120C

Stock Part: 12548

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 24A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D015A120A

Stock Part: 6601

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 15A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D012A060A

Stock Part: 9802

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D003A060A

Stock Part: 32449

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D012A065C

Stock Part: 88

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 29A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GSXD300A170S2D5

Stock Part: 1548

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1700V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 300A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 540ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D010A060A

Stock Part: 17959

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D020A120A

Stock Part: 2898

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 20A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D003A065C

Stock Part: 46386

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D005A065C

Stock Part: 63819

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D036A060B

Stock Part: 7919

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 82A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.9V @ 36A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D010A065C

Stock Part: 32469

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D003A065A

Stock Part: 46379

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 650V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D030A060B

Stock Part: 5912

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.65V @ 30A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GDP60Z120E

Stock Part: 2254

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 60A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GDP08S120A

Stock Part: 2165

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D010A120A

Stock Part: 7354

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GDP15S120B

Stock Part: 5232

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 15A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D005A120A

Stock Part: 20996

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D010A170B

Stock Part: 3924

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1700V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 10A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GDP06S060A

Stock Part: 2241

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 6A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D005A170B

Stock Part: 6213

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1700V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.75V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D005A120C

Stock Part: 20934

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GP2D050A120B

Stock Part: 2553

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 50A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GDP12S060A

Stock Part: 5283

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 12A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GDP03S060C

Stock Part: 2176

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 3A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

Global Power Technologies Group

GDP30S120B

Stock Part: 2237

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 30A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió