Diodes: rectificadors de ponts | Productes de semiconductors discrets | 1

GHXS010A060S-D1

Stock Part: 2081

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D1

Stock Part: 537

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 45A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 45A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 300µA @ 1200V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS045A120S-D1E

Stock Part: 534

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 45A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 45A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 300µA @ 1200V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1E

Stock Part: 1190

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 15A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1200V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1

Stock Part: 1154

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 15A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 1200V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1

Stock Part: 1478

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 600V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D1

Stock Part: 1214

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 30A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1

Stock Part: 658

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 30A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 1200V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1E

Stock Part: 720

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 1.2kV, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 30A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 1200V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS020A060S-D1E

Stock Part: 1471

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 20A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 200µA @ 600V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D1E

Stock Part: 2062

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 10A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

Cessió

Global Power Technologies Group

GHXS030A060S-D1E

Stock Part: 1161

Tipus de díode: Single Phase, Tecnologia: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: pic invers (màxim): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 30A, Actual - Fuga inversa @ Vr: 100µA @ 600V,

Cessió