Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 21

MBR8045

Stock Part: 4200

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

Stock Part: 2354

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

Stock Part: 7100

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

Stock Part: 2289

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

Stock Part: 2377

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

Stock Part: 5676

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 50A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR85G02

Stock Part: 6031

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 85A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 85A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

Stock Part: 7147

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

Stock Part: 6017

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 85A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 85A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

Stock Part: 2356

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

Stock Part: 2350

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 70A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 110ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

Stock Part: 2334

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

Stock Part: 2296

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

Stock Part: 2318

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 300A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

Stock Part: 5231

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 300A,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

Stock Part: 2307

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

Stock Part: 2242

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

Stock Part: 2232

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

Stock Part: 311

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 8000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 4.6V @ 50mA, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

Stock Part: 2319

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

Stock Part: 2265

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

Stock Part: 2239

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

Stock Part: 2328

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

Stock Part: 2310

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

Stock Part: 2284

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

Stock Part: 2270

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

Stock Part: 2239

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

Stock Part: 5225

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

Stock Part: 2278

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

Stock Part: 2301

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

Stock Part: 2249

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 580mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

Stock Part: 2239

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

Stock Part: 2267

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 150A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR6A02

Stock Part: 10367

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

Stock Part: 20747

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 1A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

Stock Part: 5683

Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 3300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.2V @ 300mA, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 0ns,

Cessió