Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 21

GKN240/12

Stock Part: 2355

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 320A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S300J

Stock Part: 2052

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 300A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR6045

Stock Part: 5433

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 60A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S320JR

Stock Part: 1959

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 320A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 300A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100R

Stock Part: 2683

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GKN130/04

Stock Part: 3738

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 165A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GKN71/16

Stock Part: 12880

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 95A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR16JR05

Stock Part: 13647

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR40B02

Stock Part: 9617

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S150MR

Stock Part: 2539

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURH10040R

Stock Part: 3710

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 90ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR85B02

Stock Part: 7804

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 85A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 85A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR8020R

Stock Part: 5366

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURH7005R

Stock Part: 117

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 70A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH12020

Stock Part: 2900

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S70G

Stock Part: 9616

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 70A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S380Z

Stock Part: 1964

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 2000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 380A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 380A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH24040R

Stock Part: 64

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 240A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 240A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S70YR

Stock Part: 9576

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 70A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH12035

Stock Part: 2861

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR20A02

Stock Part: 9627

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GKN130/12

Stock Part: 3687

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 165A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH240150

Stock Part: 50

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 240A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 880mV @ 240A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH120100

Stock Part: 2716

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GKR71/14

Stock Part: 9573

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 95A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S6J

Stock Part: 18937

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 6A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR7530

Stock Part: 5447

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 75A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GKN240/14

Stock Part: 2352

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 320A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

SD41

Stock Part: 6564

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S150J

Stock Part: 2509

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR16BR05

Stock Part: 12966

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR70MR05

Stock Part: 9655

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 70A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR40K05

Stock Part: 9575

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR30KR05

Stock Part: 9582

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR7005R

Stock Part: 7621

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 70A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR40G05

Stock Part: 9612

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió