Diodes - Rectificadors - Individuals

Casa
Diodes - Rectificadors - Individuals

GeneSiC Semiconductor

FR85DR02

Stock Part: 7995

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 85A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 85A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR30MR05

Stock Part: 9627

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

SD41R

Stock Part: 6549

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 680mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH24035R

Stock Part: 30

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 240A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 240A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S400K

Stock Part: 1975

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 400A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 400A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR7060

Stock Part: 7555

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 70A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR16GR05

Stock Part: 13464

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 16A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GKR130/14

Stock Part: 3092

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 165A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR6M05

Stock Part: 12958

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 6A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 6A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S25KR

Stock Part: 13900

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 25A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S40DR

Stock Part: 14101

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 40A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR7040R

Stock Part: 7580

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 70A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MURH10010

Stock Part: 3674

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 100A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 100A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR80100R

Stock Part: 5432

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR5060

Stock Part: 7628

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 50A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 90ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR8030

Stock Part: 5443

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S320MR

Stock Part: 2048

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 320A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 300A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH24035

Stock Part: 69

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 240A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 240A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR30B02

Stock Part: 9643

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR2510R

Stock Part: 8698

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR2540

Stock Part: 9597

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR70B05

Stock Part: 9593

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 70A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR8020

Stock Part: 5398

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH200150R

Stock Part: 2466

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 200A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR20BR02

Stock Part: 9648

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR40BR02

Stock Part: 12150

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH12035R

Stock Part: 2876

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S85G

Stock Part: 9574

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 85A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 85A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR5020

Stock Part: 7584

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 50A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

FR40DR02

Stock Part: 9956

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR7545

Stock Part: 5434

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 75A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBR7580R

Stock Part: 5440

Tipus de díode: Schottky, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 75A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 75A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MBRH120200R

Stock Part: 2763

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

GKR130/04

Stock Part: 3067

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 165A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

GeneSiC Semiconductor

MUR7020

Stock Part: 7564

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 70A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 70A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 75ns,

Cessió

GeneSiC Semiconductor

S16B

Stock Part: 19985

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 16A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

745

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»