Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

8ETU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

Stock Part: 150

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

A la llista de desitjos
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

Stock Part: 128

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

Stock Part: 5547

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

Stock Part: 144

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

Stock Part: 184

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

Stock Part: 175

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

Stock Part: 175

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8EWS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

Stock Part: 126

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8EWS08STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

Stock Part: 197

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8EWF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

Stock Part: 5071

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 270ns,

A la llista de desitjos
8EWF12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

Stock Part: 126

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 270ns,

A la llista de desitjos
8EWF06STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

Stock Part: 142

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

A la llista de desitjos
8EWF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

Stock Part: 182

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

A la llista de desitjos
8EWF04STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

Stock Part: 133

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

A la llista de desitjos
8EWF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

Stock Part: 164

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

A la llista de desitjos
8EWF02STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

Stock Part: 174

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

A la llista de desitjos
8EWF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

Stock Part: 100

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

A la llista de desitjos
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

Stock Part: 131

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

Stock Part: 115

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

Stock Part: 5075

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

Stock Part: 119

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

Stock Part: 112

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.17V @ 80A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

Stock Part: 133

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.17V @ 80A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

Stock Part: 126

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 480ns,

A la llista de desitjos
80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

Stock Part: 66

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.35V @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 480ns,

A la llista de desitjos
80EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

Stock Part: 72

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 190ns,

A la llista de desitjos
80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

Stock Part: 115

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 190ns,

A la llista de desitjos
80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

Stock Part: 115

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 80A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 80A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 190ns,

A la llista de desitjos
8EWF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

Stock Part: 68

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 270ns,

A la llista de desitjos
8EWF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

Stock Part: 20

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 270ns,

A la llista de desitjos
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

Stock Part: 10015

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

Stock Part: 9992

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

Stock Part: 10041

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8TQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

Stock Part: 5059

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8EWS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

Stock Part: 10060

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
8EWF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

Stock Part: 10034

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 140ns,

A la llista de desitjos