Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

10TQ035STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRR

Stock Part: 171

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
10TQ035STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

Stock Part: 82

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
10ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

Stock Part: 173

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 10A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
10ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

Stock Part: 98

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 10A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
10ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

Stock Part: 157

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 10A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
10ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

Stock Part: 94

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 10A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
10ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

Stock Part: 76

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 310ns,

A la llista de desitjos
10ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

Stock Part: 99

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 310ns,

A la llista de desitjos
10ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

Stock Part: 161

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 310ns,

A la llista de desitjos
10ETF10FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

Stock Part: 131

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.33V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 310ns,

A la llista de desitjos
10ETF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

Stock Part: 5088

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

A la llista de desitjos
10ETF06FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

Stock Part: 145

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

A la llista de desitjos
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

Stock Part: 152

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

A la llista de desitjos
10ETF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

Stock Part: 153

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

A la llista de desitjos
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

Stock Part: 112

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 145ns,

A la llista de desitjos
18TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

Stock Part: 160

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 18A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 18A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
10TQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

Stock Part: 71

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 760mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
10TQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

Stock Part: 130

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 760mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
183NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

Stock Part: 112

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 180A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 180A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
183NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

Stock Part: 135

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 180A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 180A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
182NQ030
Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

Stock Part: 74

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 180A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 510mV @ 180A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
181NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

Stock Part: 104

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 180A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 180A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
181NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

Stock Part: 95

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 180A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 180A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
181NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

Stock Part: 137

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 180A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 660mV @ 180A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
180NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

Stock Part: 156

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 180A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 180A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
180NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

Stock Part: 137

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 180A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 180A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
180NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

Stock Part: 5037

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 180A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 180A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

Stock Part: 91

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 910mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

Stock Part: 5020

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 80V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 910mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
122NQ030R
Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

Stock Part: 69

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 490mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
121NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

Stock Part: 130

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
121NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

Stock Part: 5051

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
121NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

Stock Part: 135

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
121NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

Stock Part: 74

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 650mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

Stock Part: 120

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual: mitjana rectificada (Io): 120A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 570mV @ 120A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N6631US
Microsemi Corporation

1N6631US

Stock Part: 4317

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.4A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 60ns,

A la llista de desitjos