Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

Stock Part: 168864

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

A la llista de desitjos
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

Stock Part: 2917

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 150A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 150A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

Stock Part: 4336

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 50A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 50A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

Stock Part: 12061

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

A la llista de desitjos
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

Stock Part: 9557

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 12A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 200ns,

A la llista de desitjos
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

Stock Part: 14337

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 35A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 35A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

Stock Part: 7092

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

Stock Part: 15967

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

Stock Part: 10679

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 40A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

Stock Part: 11089

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 40A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 40A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

Stock Part: 7743

Tipus de díode: Standard, Reverse Polarity, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 60A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

Stock Part: 5530

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 9A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

A la llista de desitjos
1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

Stock Part: 35775

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

A la llista de desitjos
1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

Stock Part: 6439

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 9A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

A la llista de desitjos
1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

Stock Part: 6262

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 300mA (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 4ns,

A la llista de desitjos
1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

Stock Part: 5407

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.4V @ 1.2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 45ns,

A la llista de desitjos
1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

Stock Part: 6351

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 875mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

A la llista de desitjos
1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

Stock Part: 6290

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 9A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

A la llista de desitjos
1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

Stock Part: 1677

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 37.7A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

A la llista de desitjos
1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

Stock Part: 5411

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A (DC), Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 200mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 3µs,

A la llista de desitjos
1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

Stock Part: 8604

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

A la llista de desitjos
1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

Stock Part: 7627

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

Stock Part: 6582

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 250ns,

A la llista de desitjos
1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

Stock Part: 24811

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 75V, Actual: mitjana rectificada (Io): 200mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 50mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

A la llista de desitjos
1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

Stock Part: 9843

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 250ns,

A la llista de desitjos
1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

Stock Part: 5319

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 9A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

A la llista de desitjos
1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

Stock Part: 6580

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 875mV @ 4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

A la llista de desitjos
1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

Stock Part: 6400

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 9A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

A la llista de desitjos
1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

Stock Part: 7979

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 70V, Actual: mitjana rectificada (Io): 33mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 15mA, Velocitat: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

A la llista de desitjos
1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

Stock Part: 10754

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

A la llista de desitjos
1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

Stock Part: 7965

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.2V @ 9A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2µs,

A la llista de desitjos
1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

Stock Part: 643

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

Stock Part: 90011

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 450mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

Stock Part: 90043

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 9.4A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos
1N3647
Semtech Corporation

1N3647

Stock Part: 7939

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 3000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 600mA, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 5V @ 250mA, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 2.5µs,

A la llista de desitjos
1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

Stock Part: 2626

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

A la llista de desitjos