Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB

Stock Part: 156997

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

MP6K31TR

MP6K31TR

Stock Part: 2806

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 1mA,

FDMS3616S

FDMS3616S

Stock Part: 2851

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A, 18A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDW2507NZ

FDW2507NZ

Stock Part: 2692

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968NR2G

NTQD6968NR2G

Stock Part: 2683

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NDS9925A

NDS9925A

Stock Part: 2695

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

NTZD3154NT1H

NTZD3154NT1H

Stock Part: 188943

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 540mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

ECH8675-TL-H

ECH8675-TL-H

Stock Part: 2918

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

FDS6984S

FDS6984S

Stock Part: 2757

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 8.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

NDS9942

NDS9942

Stock Part: 2712

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

NTMD2P01R2

NTMD2P01R2

Stock Part: 2666

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 16V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDJ1027P

FDJ1027P

Stock Part: 2758

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS9956A

NDS9956A

Stock Part: 2657

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.8V @ 250µA,

NTHD5905T1

NTHD5905T1

Stock Part: 2720

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 450mV @ 250µA,

MMDF2N02ER2

MMDF2N02ER2

Stock Part: 2712

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

NDM3000

NDM3000

Stock Part: 2702

Tipus FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

NDS8926

NDS8926

Stock Part: 2667

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SIA511DJ-T1-GE3

SIA511DJ-T1-GE3

Stock Part: 2748

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SI1970DH-T1-GE3

SI1970DH-T1-GE3

Stock Part: 3345

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.6V @ 250µA,

SI7911DN-T1-GE3

SI7911DN-T1-GE3

Stock Part: 3351

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SIA914DJ-T1-E3

SIA914DJ-T1-E3

Stock Part: 2809

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Stock Part: 137151

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 18A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

Stock Part: 2731

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1025X-T1-E3

SI1025X-T1-E3

Stock Part: 2759

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 190mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1033X-T1-E3

SI1033X-T1-E3

Stock Part: 2716

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 145mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

SI4544DY-T1-E3

SI4544DY-T1-E3

Stock Part: 2827

Tipus FET: N and P-Channel, Common Drain, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Stock Part: 5353

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4830ADY-T1-GE3

SI4830ADY-T1-GE3

Stock Part: 2864

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

Stock Part: 2847

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

ZXMHC10A07T8TA

ZXMHC10A07T8TA

Stock Part: 83530

Tipus FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1A, 800mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 250µA,

DI9945T

DI9945T

Stock Part: 2659

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

IRFHS9351TR2PBF

IRFHS9351TR2PBF

Stock Part: 2826

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 10µA,

IRF7750

IRF7750

Stock Part: 2669

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7754GTRPBF

IRF7754GTRPBF

Stock Part: 2807

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 900mV @ 250µA,

IRF7105QTRPBF

IRF7105QTRPBF

Stock Part: 2827

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

GWM160-0055P3

GWM160-0055P3

Stock Part: 2735

Tipus FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 1mA,