Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius

AOP607

Stock Part: 3275

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AOP609

Stock Part: 2816

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AOP605

Stock Part: 2811

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4838

Stock Part: 114715

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AO4882

Stock Part: 110285

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4852

Stock Part: 115960

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AO4886

Stock Part: 2683

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AON7611

Stock Part: 168239

Tipus FET: N and P-Channel, Common Drain, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, 18.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4803A

Stock Part: 134931

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4614B

Stock Part: 146451

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, 5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4813

Stock Part: 174721

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4800B

Stock Part: 189998

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO4805

Stock Part: 180636

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.8V @ 250µA,

AO4630

Stock Part: 137477

Tipus FET: N and P-Channel Complementary, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A, 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.45V @ 250µA,

AO4612

Stock Part: 189775

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, 3.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4840

Stock Part: 161636

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AON6924

Stock Part: 90862

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A, 28A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AOD609

Stock Part: 192201

Tipus FET: N and P-Channel, Common Drain, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AOC2804

Stock Part: 105804

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Funció FET: Standard,

AON7804

Stock Part: 120975

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AAT7347IAS-T1

Stock Part: 157898

AUIRFN8459TR

Stock Part: 64112

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 50µA,

AUIRFN8458TR

Stock Part: 79588

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.9V @ 25µA,

AUIRF7341QTR

Stock Part: 89718

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7319QTR

Stock Part: 89679

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.5A, 4.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7316QTR

Stock Part: 89739

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7342QTR

Stock Part: 91383

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7313QTR

Stock Part: 94924

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7304QTR

Stock Part: 101244

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AUIRF7379QTR

Stock Part: 101249

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF7103QTR

Stock Part: 121994

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

AUIRF9952QTR

Stock Part: 125213

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

BSM180D12P3C007

Stock Part: 168

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Vgs (th) (màx.) @ Id: 5.6V @ 50mA,

BSM300D12P2E001

Stock Part: 201

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 300A (Tc), Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 68mA,

BSM080D12P2C008

Stock Part: 263

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Silicon Carbide (SiC), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 13.2mA,

BSS8402DWQ-7

Stock Part: 194681

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 115mA, 130mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,