Transistors: bipolars (BJT): matrius, pre-esbiaixa | Productes de semiconductors discrets | 42

MUN5216DW1T1

Stock Part: 1438

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

Stock Part: 154023

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

Stock Part: 1465

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

Stock Part: 133175

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

Stock Part: 168681

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 1 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

Stock Part: 163385

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

Stock Part: 3198

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

Stock Part: 151022

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

Stock Part: 182502

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

Stock Part: 152242

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

Stock Part: 138883

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

Stock Part: 1489

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

Stock Part: 1507

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

Stock Part: 1480

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

Stock Part: 181191

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

Stock Part: 1463

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

Stock Part: 1523

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

DDA144EK-7-F

Stock Part: 124106

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

DDA124EK-7-F

Stock Part: 116873

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

DDA114YU-7

Stock Part: 1386

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

IMB4AT110

Stock Part: 116363

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

UMF8NTR

Stock Part: 111347

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 15V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

FMG5AT148

Stock Part: 191530

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

UMD6NTR

Stock Part: 125967

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos

Panasonic Electronic Components

XP0621000L

Stock Part: 1473

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Panasonic Electronic Components

DMG264020R

Stock Part: 139566

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Panasonic Electronic Components

XN0111M00L

Stock Part: 1478

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Panasonic Electronic Components

XP0421M00L

Stock Part: 1422

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Panasonic Electronic Components

NP0G3A000A

Stock Part: 1454

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 80mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PBLS6004D,115

Stock Part: 100158

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 700mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 60V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PIMN31,115

Stock Part: 149516

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PEMH9,115

Stock Part: 174446

Tipus de transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PUMD17,115

Stock Part: 141367

Tipus de transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PUMB2,115

Stock Part: 142176

Tipus de transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

Stock Part: 1384

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 40V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

A la llista de desitjos

NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

Stock Part: 1498

Tipus de transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, 40V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

A la llista de desitjos