Transistors - Bipolar (BJT) - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 39

MAT01GH

Stock Part: 3534

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 25mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 400nA,

A la llista de desitjos

Analog Devices Inc.

SSM2212CPZ-RL

Stock Part: 17521

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 20mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 15V,

A la llista de desitjos

Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-RL

Stock Part: 11095

Tipus de transistor: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 3nA,

A la llista de desitjos

Analog Devices Inc.

MAT03EHZ

Stock Part: 4479

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 20mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 36V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

UMY1NTR

Stock Part: 105089

Tipus de transistor: NPN, PNP (Emitter Coupled), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

Stock Part: 120

Tipus de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

Stock Part: 123

Tipus de transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PMBT3946VPN,115

Stock Part: 148127

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PMP4501V,115

Stock Part: 117231

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PEMZ1,115

Stock Part: 155883

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PMBT3904VS,115

Stock Part: 198170

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PEMX1,315

Stock Part: 141674

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PMP4501QASZ

Stock Part: 97

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V,

A la llista de desitjos

Nexperia USA Inc.

PBSS5130PAP,115

Stock Part: 169332

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

Stock Part: 175944

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NST3946DP6T5G

Stock Part: 152851

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

CPH5505-TL-E

Stock Part: 166597

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NSVBC848CDW1T1G

Stock Part: 125941

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NSV40300MDR2G

Stock Part: 148007

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

EMT1DXV6T1

Stock Part: 4480

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 500nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NST847BDP6T5G

Stock Part: 165488

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NST65010MW6T1G

Stock Part: 196459

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

Stock Part: 170917

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

Stock Part: 147868

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

A la llista de desitjos

ON Semiconductor

FMB5551

Stock Part: 161037

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 160V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

ZXTDAM832TA

Stock Part: 4629

Tipus de transistor: 2 NPN (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 15V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 25nA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

ZDT705TC

Stock Part: 4410

Tipus de transistor: 2 PNP Darlington (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 1A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 120V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

A la llista de desitjos

Diodes Incorporated

ZXTP56020FDBQ-7

Stock Part: 9974

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

Stock Part: 4491

Tipus de transistor: 7 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

A la llista de desitjos

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

Stock Part: 4488

Tipus de transistor: 8 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

A la llista de desitjos

Sanken

SMA6010

Stock Part: 14708

Tipus de transistor: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 60V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

A la llista de desitjos

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Stock Part: 4365

Tipus de transistor: NPN, PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

A la llista de desitjos

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

Stock Part: 167758

Tipus de transistor: 2 PNP (Dual), Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

A la llista de desitjos

Central Semiconductor Corp

MPQ6700

Stock Part: 15034

Tipus de transistor: 2 NPN, 2 PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 200mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 50nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

A la llista de desitjos

Renesas Electronics America Inc.

CA3083

Stock Part: 4402

Tipus de transistor: 5 NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 15V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 3V,

A la llista de desitjos

STMicroelectronics

ULN2804A

Stock Part: 67807

Tipus de transistor: 8 NPN Darlington, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

A la llista de desitjos