Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix

DTA143EEBTL
Rohm Semiconductor

DTA143EEBTL

Stock Part: 167279

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA144WKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144WKAT146

Stock Part: 180435

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 30mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA144TKAT146
Rohm Semiconductor

DTA144TKAT146

Stock Part: 103542

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
DTA143TUBTL
Rohm Semiconductor

DTA143TUBTL

Stock Part: 113791

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTD123EUF
Nexperia USA Inc.

PDTD123EUF

Stock Part: 161915

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTD113ZUF
Nexperia USA Inc.

PDTD113ZUF

Stock Part: 156593

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos
PBRN113ZT,215
Nexperia USA Inc.

PBRN113ZT,215

Stock Part: 114333

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 600mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 500 @ 300mA, 5V,

A la llista de desitjos
PDTA144WU,115
Nexperia USA Inc.

PDTA144WU,115

Stock Part: 186483

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos
FJY3009R
ON Semiconductor

FJY3009R

Stock Part: 3263

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 40V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

A la llista de desitjos
MUN5136T1G
ON Semiconductor

MUN5136T1G

Stock Part: 181881

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 100 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 100 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
NSVMMUN2232LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2232LT1G

Stock Part: 176648

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
MUN5133T1G
ON Semiconductor

MUN5133T1G

Stock Part: 124717

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
FJY4001R
ON Semiconductor

FJY4001R

Stock Part: 1886

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
MUN5132T1G
ON Semiconductor

MUN5132T1G

Stock Part: 176294

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
MUN2235T1G
ON Semiconductor

MUN2235T1G

Stock Part: 135766

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
MUN2113T1G
ON Semiconductor

MUN2113T1G

Stock Part: 193577

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos
RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

Stock Part: 138320

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

Stock Part: 1723

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 22 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

Stock Part: 154084

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
DDTC143ZCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC143ZCA-7-F

Stock Part: 151001

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos
UNR321N00L
Panasonic Electronic Components

UNR321N00L

Stock Part: 146933

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

A la llista de desitjos