Transistors: bipolars (BJT): senzills, pre-esbiaix | Productes de semiconductors discrets | 88

BCR 119F E6327

Stock Part: 1906

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR116WE6327BTSA1

Stock Part: 1867

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 116T E6327

Stock Part: 1851

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 116L3 E6327

Stock Part: 1886

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 116F E6327

Stock Part: 1882

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 114T E6327

Stock Part: 1871

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 114F E6327

Stock Part: 3258

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 114L3 E6327

Stock Part: 1839

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 112T E6327

Stock Part: 1851

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR112WE6327BTSA1

Stock Part: 1895

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 112F E6327

Stock Part: 5360

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 112L3 E6327

Stock Part: 1840

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 108T E6327

Stock Part: 1842

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 108L3 E6327

Stock Part: 3212

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 108F E6327

Stock Part: 1842

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 108 B6327

Stock Part: 1832

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 103T E6327

Stock Part: 1845

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 103L3 E6327

Stock Part: 3195

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 103F E6327

Stock Part: 1824

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR 101L3 E6327

Stock Part: 3195

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 50mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 100 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 100 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR512E6327HTSA1

Stock Part: 183749

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 4.7 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR555E6327HTSA1

Stock Part: 169612

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR142E6327HTSA1

Stock Part: 111124

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 22 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR198E6327HTSA1

Stock Part: 196205

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR183E6327HTSA1

Stock Part: 112554

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR533E6327HTSA1

Stock Part: 148436

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR148E6327HTSA1

Stock Part: 179063

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 47 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR133E6327HTSA1

Stock Part: 117390

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR505E6327HTSA1

Stock Part: 155798

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR108E6327HTSA1

Stock Part: 107313

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR503E6327HTSA1

Stock Part: 187004

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR135E6327HTSA1

Stock Part: 185332

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 10 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR523E6327HTSA1

Stock Part: 192928

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 1 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR116E6327HTSA1

Stock Part: 185599

Tipus de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 47 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR553E6327HTSA1

Stock Part: 184944

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 2.2 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

BCR555E6433HTMA1

Stock Part: 167043

Tipus de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 500mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Resistència - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistència: base emissora (R2): 10 kOhms, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

A la llista de desitjos