Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

15GN01MA-TL-E
ON Semiconductor

15GN01MA-TL-E

Stock Part: 176347

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 8V, Freqüència - Transició: 1.5GHz, Potència: màx: 400mW,

A la llista de desitjos
15GN01CA-TB-E
ON Semiconductor

15GN01CA-TB-E

Stock Part: 194654

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 8V, Freqüència - Transició: 1.5GHz, Potència: màx: 200mW,

A la llista de desitjos
2SC5536A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5536A-TL-H

Stock Part: 129846

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 1.7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz, Guany: 16dB, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5646A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5646A-TL-H

Stock Part: 145975

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 4V, Freqüència - Transició: 10GHz ~ 12.5GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Guany: 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5490A-TL-H
ON Semiconductor

2SC5490A-TL-H

Stock Part: 102087

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 10V, Freqüència - Transició: 8GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz, Guany: 10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5227A-4-TB-E
ON Semiconductor

2SC5227A-4-TB-E

Stock Part: 149544

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 10V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Guany: 12dB, Potència: màx: 200mW,

A la llista de desitjos
2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor

2SC5347AE-TD-E

Stock Part: 107074

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 4.7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Guany: 8dB, Potència: màx: 1.3W,

A la llista de desitjos
10A060
Microsemi Corporation

10A060

Stock Part: 605

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 24V, Freqüència - Transició: 1GHz, Guany: 8dB ~ 8.5dB, Potència: màx: 21W,

A la llista de desitjos
2N4957UB
Microsemi Corporation

2N4957UB

Stock Part: 2413

Tipus de transistor: PNP, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Figura de soroll (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Guany: 25dB, Potència: màx: 200mW,

A la llista de desitjos
2A8
Microsemi Corporation

2A8

Stock Part: 697

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 21V, Freqüència - Transició: 2GHz, Guany: 7dB ~ 9dB, Potència: màx: 5.3W,

A la llista de desitjos
23A025
Microsemi Corporation

23A025

Stock Part: 549

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 22V, Freqüència - Transició: 3.7GHz, Guany: 6dB ~ 6.3dB, Potència: màx: 9W,

A la llista de desitjos
2307
Microsemi Corporation

2307

Stock Part: 648

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 42V, Freqüència - Transició: 2.3GHz, Guany: 8dB, Potència: màx: 20.5W,

A la llista de desitjos
2SC4098T106P
Rohm Semiconductor

2SC4098T106P

Stock Part: 113796

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Freqüència - Transició: 300MHz, Potència: màx: 200mW,

A la llista de desitjos
2SC4618TLN
Rohm Semiconductor

2SC4618TLN

Stock Part: 145036

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Freqüència - Transició: 300MHz, Potència: màx: 150mW,

A la llista de desitjos
2SC4713KT146S
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146S

Stock Part: 183409

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 6V, Freqüència - Transició: 800MHz, Potència: màx: 200mW,

A la llista de desitjos
2SC4713KT146R
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146R

Stock Part: 149510

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 6V, Freqüència - Transició: 800MHz, Potència: màx: 200mW,

A la llista de desitjos
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

Stock Part: 144

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guany: 13dB, Potència: màx: 150mW,

A la llista de desitjos
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

Stock Part: 170

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guany: 11dB, Potència: màx: 150mW,

A la llista de desitjos
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

Stock Part: 171976

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Freqüència - Transició: 550MHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Guany: 17dB ~ 23dB, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

Stock Part: 111075

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

Stock Part: 128600

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guany: 11dB ~ 16.5dB, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

Stock Part: 121034

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

Stock Part: 190

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

Stock Part: 170

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

Stock Part: 187

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 10V, Freqüència - Transició: 10GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guany: 13dB ~ 7dB, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

Stock Part: 173074

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

Stock Part: 128

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 10V, Freqüència - Transició: 10GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Guany: 13dB ~ 7.5dB, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

Stock Part: 124837

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Freqüència - Transició: 550MHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Guany: 17dB ~ 23dB, Potència: màx: 100mW,

A la llista de desitjos
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

Stock Part: 152602

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Guany: 11dB, Potència: màx: 150mW,

A la llista de desitjos
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

Stock Part: 162523

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 7GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Potència: màx: 150mW,

A la llista de desitjos
2N5179
Central Semiconductor Corp

2N5179

Stock Part: 11976

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 2GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Guany: 15dB, Potència: màx: 200mW,

A la llista de desitjos
2N918
Central Semiconductor Corp

2N918

Stock Part: 11009

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 15V, Freqüència - Transició: 600MHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 6dB @ 60kHz, Potència: màx: 200mW,

A la llista de desitjos
2N4427
Central Semiconductor Corp

2N4427

Stock Part: 25708

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 20V, Freqüència - Transició: 500MHz, Guany: 10dB, Potència: màx: 1W,

A la llista de desitjos
2N2857
Central Semiconductor Corp

2N2857

Stock Part: 10939

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 15V, Freqüència - Transició: 1.9GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Potència: màx: 200mW,

A la llista de desitjos
2SC3357-T1-A
CEL

2SC3357-T1-A

Stock Part: 7357

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 12V, Freqüència - Transició: 6.5GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Guany: 10dB, Potència: màx: 1.2W,

A la llista de desitjos
2SC5010-T1-A
CEL

2SC5010-T1-A

Stock Part: 7305

Tipus de transistor: NPN, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 6V, Freqüència - Transició: 12GHz, Figura de soroll (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Guany: 8.5dB, Potència: màx: 125mW,

A la llista de desitjos