Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: FET, MOSFET: senzill

BUK9608-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9608-55A,118

Stock Part: 81443

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos
BSS138LT3
ON Semiconductor

BSS138LT3

Stock Part: 281

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

A la llista de desitjos
BSS123LT3
ON Semiconductor

BSS123LT3

Stock Part: 305

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSS123LT3G
ON Semiconductor

BSS123LT3G

Stock Part: 251

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

A la llista de desitjos
BS170RLRPG
ON Semiconductor

BS170RLRPG

Stock Part: 339

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

A la llista de desitjos
BS170RLRP
ON Semiconductor

BS170RLRP

Stock Part: 277

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

A la llista de desitjos
BS170G
ON Semiconductor

BS170G

Stock Part: 6047

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

A la llista de desitjos
BS108G
ON Semiconductor

BS108G

Stock Part: 5654

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2V, 2.8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

A la llista de desitjos
BS107G
ON Semiconductor

BS107G

Stock Part: 6088

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

A la llista de desitjos
BS107ARL1G
ON Semiconductor

BS107ARL1G

Stock Part: 245

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

A la llista de desitjos
BS107ARL1
ON Semiconductor

BS107ARL1

Stock Part: 306

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

A la llista de desitjos
BS170P
Diodes Incorporated

BS170P

Stock Part: 82285

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS87L6327HTSA1

Stock Part: 311

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 240V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSS84PW
Infineon Technologies

BSS84PW

Stock Part: 246

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSS84PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS84PL6327HTSA1

Stock Part: 264

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS192PL6327HTSA1

Stock Part: 303

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.8V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSS7728N
Infineon Technologies

BSS7728N

Stock Part: 298

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSS138NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS138NL6327HTSA1

Stock Part: 227

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSS138W E6327
Infineon Technologies

BSS138W E6327

Stock Part: 295

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSS123L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS123L6327HTSA1

Stock Part: 228

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP92PL6327HTSA1

Stock Part: 265

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP89L6327HTSA1

Stock Part: 257

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 240V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies

BSP613PL6327HUSA1

Stock Part: 321

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

A la llista de desitjos
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP372L6327HTSA1

Stock Part: 290

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

A la llista de desitjos
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP373L6327HTSA1

Stock Part: 6061

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

A la llista de desitjos
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP316PL6327HTSA1

Stock Part: 238

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 680mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP317PL6327HTSA1

Stock Part: 303

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 430mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP297L6327HTSA1

Stock Part: 301

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

A la llista de desitjos
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP315PL6327HTSA1

Stock Part: 253

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.17A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

A la llista de desitjos
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP296L6327HTSA1

Stock Part: 270

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

A la llista de desitjos
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP295L6327HTSA1

Stock Part: 290

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

A la llista de desitjos
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP171PL6327HTSA1

Stock Part: 6106

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

A la llista de desitjos
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP170PL6327HTSA1

Stock Part: 276

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

A la llista de desitjos
BSO300N03S
Infineon Technologies

BSO300N03S

Stock Part: 251

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.2A, 10V,

A la llista de desitjos
BSO200N03S
Infineon Technologies

BSO200N03S

Stock Part: 232

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V,

A la llista de desitjos
BSO072N03S
Infineon Technologies

BSO072N03S

Stock Part: 276

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

A la llista de desitjos