Transistors: FET, MOSFET: senzill

2SK2744(F)

Stock Part: 6130

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2845(TE16L1,Q)

Stock Part: 779

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 500mA, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2507(F)

Stock Part: 761

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 12A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2544(F)

Stock Part: 749

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK1119(F)

Stock Part: 779

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V,

A la llista de desitjos

2SJ681(Q)

Stock Part: 746

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.5A, 10V,

A la llista de desitjos

2SJ380(F)

Stock Part: 783

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

A la llista de desitjos

2SJ610(TE16L1,NQ)

Stock Part: 711

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.55 Ohm @ 1A, 10V,

A la llista de desitjos

2SJ360(F)

Stock Part: 714

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

A la llista de desitjos

2SJ304(F)

Stock Part: 800

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK3128(Q)

Stock Part: 702

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK3309(Q)

Stock Part: 633

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 450V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2376(Q)

Stock Part: 685

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2266(TE24R,Q)

Stock Part: 654

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK3132(Q)

Stock Part: 463

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK3068(TE24L,Q)

Stock Part: 430

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2993(TE24L,Q)

Stock Part: 483

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2917(F)

Stock Part: 500

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2916(F)

Stock Part: 458

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2847(F)

Stock Part: 6126

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V,

A la llista de desitjos

2SK2719(F)

Stock Part: 460

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

A la llista de desitjos

Microchip Technology

2N7000-G

Stock Part: 187823

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

A la llista de desitjos

2SK1374G0L

Stock Part: 648

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

A la llista de desitjos

2SJ0674G0L

Stock Part: 636

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V,

A la llista de desitjos

2SK0601G0L

Stock Part: 707

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

A la llista de desitjos

2SJ0536G0L

Stock Part: 713

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

A la llista de desitjos

2SK3547G0L

Stock Part: 594

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

A la llista de desitjos

2SK0664G0L

Stock Part: 599

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

A la llista de desitjos

2SK3539G0L

Stock Part: 585

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

A la llista de desitjos

2SK3546G0L

Stock Part: 612

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

A la llista de desitjos

2N7002WT3G

Stock Part: 457

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

A la llista de desitjos

2N7002ET3G

Stock Part: 516

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 240mA, 10V,

A la llista de desitjos

2N7002LT3

Stock Part: 327

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

A la llista de desitjos

2N7000RLRPG

Stock Part: 6095

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

A la llista de desitjos