Transistors: FET, MOSFET: senzill

BUK653R5-55C,127

BUK653R5-55C,127

Stock Part: 6308

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

Stock Part: 2570

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK653R4-40C,127

BUK653R4-40C,127

Stock Part: 2554

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK6510-75C,127

BUK6510-75C,127

Stock Part: 2551

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK6507-55C,127

BUK6507-55C,127

Stock Part: 2513

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9222-55A/C1,118

BUK9222-55A/C1,118

Stock Part: 2554

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7210-55B/C1,118

BUK7210-55B/C1,118

Stock Part: 2539

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9237-55A/C1,118

BUK9237-55A/C1,118

Stock Part: 2513

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9240-100A/C1,11

BUK9240-100A/C1,11

Stock Part: 2553

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7628-100A/C,118

BUK7628-100A/C,118

Stock Part: 2564

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9535-55,127

Stock Part: 2489

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

A la llista de desitjos

BUK7524-55,127

Stock Part: 2502

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7213-40A,118

BUK7213-40A,118

Stock Part: 2477

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9213-30A,118

BUK9213-30A,118

Stock Part: 2509

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7E4R3-75C,127

BUK7E4R3-75C,127

Stock Part: 2562

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK753R4-30B,127

BUK753R4-30B,127

Stock Part: 2515

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7226-75A/C1,118

BUK7226-75A/C1,118

Stock Part: 2478

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9E4R4-40B,127

BUK9E4R4-40B,127

Stock Part: 2525

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK96150-55A,118

BUK96150-55A,118

Stock Part: 2469

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 137 mOhm @ 13A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9907-55ATE,127

BUK9907-55ATE,127

Stock Part: 2500

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9516-75B,127

BUK9516-75B,127

Stock Part: 2461

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9528-55A,127

BUK9528-55A,127

Stock Part: 2498

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 5V,

A la llista de desitjos

BUK9516-55A,127

BUK9516-55A,127

Stock Part: 2549

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9509-55A,127

BUK9509-55A,127

Stock Part: 2464

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7L06-34ARC,127

BUK7L06-34ARC,127

Stock Part: 2515

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 34V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7L11-34ARC,127

BUK7L11-34ARC,127

Stock Part: 2474

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 34V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 30A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7E2R7-30B,127

BUK7E2R7-30B,127

Stock Part: 6250

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7E11-55B,127

BUK7E11-55B,127

Stock Part: 2540

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7628-55A,118

BUK7628-55A,118

Stock Part: 2516

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7624-55A,118

BUK7624-55A,118

Stock Part: 2466

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK754R3-40B,127

BUK754R3-40B,127

Stock Part: 2488

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK752R7-30B,127

BUK752R7-30B,127

Stock Part: 2528

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7524-55A,127

BUK7524-55A,127

Stock Part: 2519

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK7523-75A,127

BUK7523-75A,127

Stock Part: 2500

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 25A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK75150-55A,127

BUK75150-55A,127

Stock Part: 2535

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 5A, 10V,

A la llista de desitjos

BUK9635-55,118

Stock Part: 2435

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

A la llista de desitjos

3600

«
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
»