Transistors: FET, MOSFET: senzill | Productes de semiconductors discrets | 100

AOI1N60

Stock Part: 121606

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 650mA, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF11N62

Stock Part: 120032

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 620V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5.5A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF20C60

Stock Part: 1578

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF10N90

Stock Part: 1553

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 5A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6554

Stock Part: 1500

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 36A (Ta), 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6538

Stock Part: 161286

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6532

Stock Part: 1510

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 68A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6536

Stock Part: 103655

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 55A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6530

Stock Part: 1585

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 28.5A (Ta), 72A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6524

Stock Part: 154728

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 68A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6248

Stock Part: 171095

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17.5A (Ta), 53A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2705

Stock Part: 1511

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 3A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON1620

Stock Part: 1541

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON1610

Stock Part: 1550

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 4A, 4.5V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK10N90

Stock Part: 1557

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 980 mOhm @ 5A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI514

Stock Part: 1555

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 46A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 20A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD498

Stock Part: 1522

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), 11A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 4.5A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD474A

Stock Part: 1543

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 5A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2422

Stock Part: 1502

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2423

Stock Part: 1514

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 10V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2415

Stock Part: 1560

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2414

Stock Part: 1500

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2413

Stock Part: 1552

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.2V, 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 1.5A, 2.5V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2412

Stock Part: 1577

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

A la llista de desitjos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOC2401

Stock Part: 1566

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 1.5A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRFU3607

Stock Part: 73663

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRF4905S

Stock Part: 1494

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 42A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRF5210S

Stock Part: 1559

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 38A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRLL2705

Stock Part: 1536

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRLL024Z

Stock Part: 1483

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRF6218S

Stock Part: 1495

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 16A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRLR024Z

Stock Part: 1524

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRF6215S

Stock Part: 1474

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRFBA1405

Stock Part: 21491

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 101A, 10V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRF7805Q

Stock Part: 1565

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 7A, 4.5V,

A la llista de desitjos

Infineon Technologies

AUIRF6218STRL

Stock Part: 42631

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 16A, 10V,

A la llista de desitjos