Transistors: FET, MOSFET: senzill

AOD5T40P_101

Stock Part: 2281

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.9A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.45 Ohm @ 1A, 10V,

AOD526_DELTA

Stock Part: 2324

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOD4TL60

Stock Part: 6236

AO4476AL_101

Stock Part: 6299

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO6085N03

Stock Part: 6236

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6414G

Stock Part: 2299

AO4476AL

Stock Part: 2255

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

AO4476G

Stock Part: 2332

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

AOD418G

Stock Part: 2318

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13.5A (Ta), 36A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT240L

Stock Part: 40984

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 105A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

AON7418A

Stock Part: 2224

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

AON6764

Stock Part: 2273

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

AON6372

Stock Part: 6225

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

AON4605_002

Stock Part: 2263

AOD4185_DELTA

Stock Part: 6259

AOD413A_002

Stock Part: 2224

AO6409_DELTA

Stock Part: 2305

AO3424_102

Stock Part: 6306

AO3419_101

Stock Part: 2233

AO3423_102

Stock Part: 2275

AO3416_104

Stock Part: 2284

AO3415L_107

Stock Part: 2282

AO3415_108

Stock Part: 6278

AO3406_104

Stock Part: 2286

AO3409_103

Stock Part: 2287

AO3404A_104

Stock Part: 2245

AO3402_103

Stock Part: 2283

AOD4185L_DELTA

Stock Part: 2225

AO3400A_101

Stock Part: 2208

APT5SM170S

Stock Part: 2313

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1700V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 20V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2A, 20V,

APT5SM170B

Stock Part: 2239

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1700V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 20V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.5A, 20V,

APT35SM70S

Stock Part: 2305

Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 700V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A,

APT130SM70J

Stock Part: 2271

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 700V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 78A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 20V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

APT130SM70B

Stock Part: 2237

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 700V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 20V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 60A, 20V,

AUXHMF1404ZSTRL

Stock Part: 6282

AUIRLR024ZTRL

Stock Part: 141585

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 9.6A, 10V,