| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Obsolete |
|---|---|
| Tipus FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 650V |
| Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades) | 10V |
| RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 13A, 8V |
| Vgs (th) (màx.) @ Id | 2.6V @ 300µA |
| Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Vgs (màx.) | ±18V |
| Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | 760pF @ 400V |
| Funció FET | - |
| Dissipació de potència (màx.) | 96W (Tc) |
| Temperatura de funcionament | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipus de muntatge | Surface Mount |
| Paquet de dispositius del proveïdor | 4-PQFN (8x8) |
| Paquet / estoig | 4-PowerDFN |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
