| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Active |
|---|---|
| Tipus FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 650V |
| Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
| Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades) | 10V |
| RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V |
| Vgs (th) (màx.) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Vgs (màx.) | ±18V |
| Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | 720pF @ 480V |
| Funció FET | - |
| Dissipació de potència (màx.) | 81W (Tc) |
| Temperatura de funcionament | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipus de muntatge | Through Hole |
| Paquet de dispositius del proveïdor | TO-220AB |
| Paquet / estoig | TO-220-3 |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
