| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Obsolete |
|---|---|
| Tipus FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 20V |
| Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades) | 1.8V, 4.5V |
| RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V |
| Vgs (th) (màx.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 120nC @ 8V |
| Vgs (màx.) | ±8V |
| Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | 4300pF @ 10V |
| Funció FET | - |
| Dissipació de potència (màx.) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Temperatura de funcionament | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipus de muntatge | Surface Mount |
| Paquet de dispositius del proveïdor | PowerPAK® ChipFet Single |
| Paquet / estoig | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
