Lletra | Descripció |
Estat de la peça | Active |
---|---|
Tipus FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 20V |
Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades) | 1.5V, 4.5V |
RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 81 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (màx.) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V |
Vgs (màx.) | ±10V |
Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | 280pF @ 10V |
Funció FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipació de potència (màx.) | 1.25W (Ta) |
Temperatura de funcionament | 150°C (TJ) |
Tipus de muntatge | Surface Mount |
Paquet de dispositius del proveïdor | TSMT5 |
Paquet / estoig | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Estat de Rohs | Compleix ROHS |
---|---|
Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
Categoria d'estoc | Estoc disponible |