| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Active |
|---|---|
| Configuració del díode | 2 Independent |
| Tipus de díode | Silicon Carbide Schottky |
| Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.) | 1200V |
| Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode) | 100A (DC) |
| Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si | 1.8V @ 100A |
| Velocitat | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de recuperació inversa (TRR) | 0ns |
| Actual - Fuga inversa @ Vr | 1mA @ 1200V |
| Temperatura de funcionament: unió | - |
| Tipus de muntatge | Chassis Mount |
| Paquet / estoig | Module |
| Paquet de dispositius del proveïdor | Module |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
