| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Obsolete |
|---|---|
| Tipus FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 55V |
| Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades) | 4.5V, 10V |
| RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (màx.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (màx.) | ±20V |
| Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | 690pF @ 25V |
| Funció FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipació de potència (màx.) | 2W (Ta) |
| Temperatura de funcionament | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipus de muntatge | Surface Mount |
| Paquet de dispositius del proveïdor | 8-SO |
| Paquet / estoig | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
