| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Obsolete |
|---|---|
| Tipus FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 20V |
| Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 2.6A (Ta) |
| Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades) | 1.8V, 4.5V |
| RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (màx.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Vgs (màx.) | ±8V |
| Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Funció FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipació de potència (màx.) | 1.4W (Ta) |
| Temperatura de funcionament | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipus de muntatge | Surface Mount |
| Paquet de dispositius del proveïdor | 6-MicroFET (1.6x1.6) |
| Paquet / estoig | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
