| Lletra | Descripció |
| Estat de la peça | Obsolete |
|---|---|
| Tipus FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 1200V |
| Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades) | 20V |
| RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (màx.) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 235nC @ 20V |
| Vgs (màx.) | +25V, -10V |
| Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | - |
| Funció FET | - |
| Dissipació de potència (màx.) | 555W (Tc) |
| Temperatura de funcionament | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipus de muntatge | Through Hole |
| Paquet de dispositius del proveïdor | TO-247 |
| Paquet / estoig | TO-247-3 |
| Estat de Rohs | Compleix ROHS |
|---|---|
| Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
| Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
| Categoria d'estoc | Estoc disponible |
