Lletra | Descripció |
Estat de la peça | Obsolete |
---|---|
Tipus FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 700V |
Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 65A (Tc) |
Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades) | 20V |
RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 32.5A, 20V |
Vgs (th) (màx.) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 125nC @ 20V |
Vgs (màx.) | +25V, -10V |
Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | - |
Funció FET | - |
Dissipació de potència (màx.) | 220W (Tc) |
Temperatura de funcionament | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipus de muntatge | Surface Mount |
Paquet de dispositius del proveïdor | D3Pak |
Paquet / estoig | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Estat de Rohs | Compleix ROHS |
---|---|
Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
Categoria d'estoc | Estoc disponible |