Lletra | Descripció |
Estat de la peça | Obsolete |
---|---|
Tipus FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss) | 1200V |
Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades) | 20V |
RDS activat (màxim) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (màx.) @ Id | 3V @ 1mA (Typ) |
Càrrega de porta (Qg) (màx.) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Vgs (màx.) | +25V, -10V |
Capacitància d'entrada (Ciss) (màx.) @ Vds | 2560pF @ 1000V |
Funció FET | - |
Dissipació de potència (màx.) | 273W (Tc) |
Temperatura de funcionament | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipus de muntatge | Through Hole |
Paquet de dispositius del proveïdor | TO-247 |
Paquet / estoig | TO-247-3 |
Estat de Rohs | Compleix ROHS |
---|---|
Nivell de sensibilitat a la humitat (MSL) | No aplicable |
Estat del cicle de vida | Obsolet / final de la vida |
Categoria d'estoc | Estoc disponible |