Diodes - Rectificadors - Individuals | Productes de semiconductors discrets | 100

20ETS08FP

Stock Part: 105

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12FP

Stock Part: 5069

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06FP

Stock Part: 26

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04FP

Stock Part: 116

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02FP

Stock Part: 49

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10

Stock Part: 31

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.31V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 400ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08

Stock Part: 115

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.31V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 400ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06

Stock Part: 56

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04

Stock Part: 79

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02

Stock Part: 38

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF12S

Stock Part: 75

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.31V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 400ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF06S

Stock Part: 10053

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF08S

Stock Part: 10001

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.31V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 400ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF04S

Stock Part: 10053

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF10S

Stock Part: 10015

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1000V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.31V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 400ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08STRL

Stock Part: 5086

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

245NQ015

Stock Part: 10043

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 15V, Actual: mitjana rectificada (Io): 240A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 400mV @ 240A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12

Stock Part: 5060

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS12S

Stock Part: 10050

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETS08S

Stock Part: 9995

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 20A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

20ETF02S

Stock Part: 9988

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 160ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

301UR80

Stock Part: 1468

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 330A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.22V @ 942A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/73

Stock Part: 107592

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/54

Stock Part: 111138

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-E3/73

Stock Part: 170598

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/73

Stock Part: 162083

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/73

Stock Part: 119879

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-M3/54

Stock Part: 151354

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF4-M3/54

Stock Part: 146657

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

31GF6-E3/54

Stock Part: 110475

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.6V @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 30ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

30HFU-100

Stock Part: 1057

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.45V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 80ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

30ETH06

Stock Part: 212

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH06

Stock Part: 243

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 2.6V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

30EPH03

Stock Part: 213

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 55ns,

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ10FNTRR

Stock Part: 102

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 810mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió

Vishay Semiconductor Diodes Division

30WQ06FNTRL

Stock Part: 115

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 610mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió