Transistors - FETs, MOSFETs - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 18

SI4913DY-T1-E3

Stock Part: 2758

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 500µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SIB914DK-T1-GE3

Stock Part: 2810

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 800mV @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI4226DY-T1-E3

Stock Part: 2801

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7270DP-T1-GE3

Stock Part: 139888

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.8V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI1035X-T1-E3

Stock Part: 2711

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180mA, 145mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 400mV @ 250µA (Min),

Cessió

Vishay Siliconix

SI5902DC-T1-E3

Stock Part: 2714

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Cessió

Vishay Siliconix

SI6925ADQ-T1-E3

Stock Part: 2762

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7945DP-T1-E3

Stock Part: 2759

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI6967DQ-T1-E3

Stock Part: 2864

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Cessió

Vishay Siliconix

SIA915DJ-T1-GE3

Stock Part: 188602

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI1024X-T1-E3

Stock Part: 3329

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 485mA, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 900mV @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI1988DH-T1-E3

Stock Part: 3369

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI5980DU-T1-GE3

Stock Part: 2827

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 567 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7946DP-T1-GE3

Stock Part: 2835

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SQ9945AEY-T1-E3

Stock Part: 2873

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SIZ920DT-T1-GE3

Stock Part: 87034

Tipus FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI5933CDC-T1-E3

Stock Part: 194649

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SIA914DJ-T1-GE3

Stock Part: 2803

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-E3

Stock Part: 177519

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7218DN-T1-E3

Stock Part: 159065

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 24A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SQJ914EP-T1_GE3

Stock Part: 2508

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI5948DU-T1-GE3

Stock Part: 153924

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SIS990DN-T1-GE3

Stock Part: 178823

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12.1A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 4V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7220DN-T1-E3

Stock Part: 82356

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SQJ946EP-T1_GE3

Stock Part: 173017

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SIS903DN-T1-GE3

Stock Part: 2575

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SIA921EDJ-T4-GE3

Stock Part: 178268

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI5504BDC-T1-E3

Stock Part: 163999

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SIS932EDN-T1-GE3

Stock Part: 2519

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SQJB90EP-T1_GE3

Stock Part: 141525

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI4564DY-T1-GE3

Stock Part: 118890

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A, 9.2A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SQ4920EY-T1_GE3

Stock Part: 97887

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI3993CDV-T1-GE3

Stock Part: 136053

Tipus FET: 2 P-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 111 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI4559ADY-T1-GE3

Stock Part: 141946

Tipus FET: N and P-Channel, Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 3.9A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 3V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SI3932DV-T1-GE3

Stock Part: 199469

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Logic Level Gate, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.7A, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Cessió

Vishay Siliconix

SQ1912AEEH-T1_GE3

Stock Part: 2494

Tipus FET: 2 N-Channel (Dual), Funció FET: Standard, Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (màx.) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Cessió