Transistors: FET, MOSFET: senzill | Productes de semiconductors discrets | 100

IRLZ14STRR

Stock Part: 9152

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF740LCS

Stock Part: 9055

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFP350LC

Stock Part: 9022

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 9.6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFSL31N20DTRL

Stock Part: 9104

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 18A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFU9010

Stock Part: 9108

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 2.8A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF614STRR

Stock Part: 8985

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1.6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF820ASTRR

Stock Part: 9051

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLZ24L

Stock Part: 9198

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 10A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF9510L

Stock Part: 9018

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLZ34STRL

Stock Part: 9213

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF510STRR

Stock Part: 9043

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLIZ14G

Stock Part: 8961

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.8A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR310TRL

Stock Part: 9048

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFBC40STRL

Stock Part: 9079

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRL510S

Stock Part: 8970

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRL640STRL

Stock Part: 9100

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFS9N60ATRL

Stock Part: 9147

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRL640

Stock Part: 8982

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF740ASTRL

Stock Part: 9036

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFPS37N50A

Stock Part: 9074

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLI620G

Stock Part: 8934

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 2.4A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLZ44S

Stock Part: 8936

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR9214TR

Stock Part: 9132

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFB16N50KPBF

Stock Part: 9229

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRL520STRL

Stock Part: 9123

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFBC40LCS

Stock Part: 9033

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFUC20

Stock Part: 9023

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF624S

Stock Part: 5988

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLR8103TRL

Stock Part: 9125

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 89A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF9620STRL

Stock Part: 9028

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFBC20L

Stock Part: 5902

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRR

Stock Part: 9106

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF640L

Stock Part: 8979

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRL640STRR

Stock Part: 9123

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLZ34L

Stock Part: 9134

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 18A, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRL2203STRL

Stock Part: 9117

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

Cessió