Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Vishay Siliconix

IRF510PBF

Stock Part: 69121

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 10V,

Cessió

SIHG70N60AEF-GE3

Vishay Siliconix

SIHG70N60AEF-GE3

Stock Part: 9966

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 35A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR014PBF

Stock Part: 63750

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 4.6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRLL110PBF

Stock Part: 6022

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF540STRLPBF

Stock Part: 74897

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 17A, 10V,

Cessió

SI7370DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7370DP-T1-GE3

Stock Part: 49896

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF644NLPBF

Stock Part: 9624

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7810DN-T1-E3

Stock Part: 147249

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 5.4A, 10V,

Cessió

SISA34DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA34DN-T1-GE3

Stock Part: 113506

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFP22N60C3PBF

Stock Part: 9618

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta),

Cessió

SI7792DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7792DP-T1-GE3

Stock Part: 9613

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40.6A (Ta), 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SIA485DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA485DJ-T1-GE3

Stock Part: 16294

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

SUD06N10-225L-GE3

Vishay Siliconix

SUD06N10-225L-GE3

Stock Part: 9485

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

SQD50P08-25L_GE3

Vishay Siliconix

SQD50P08-25L_GE3

Stock Part: 60910

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 10.5A, 10V,

Cessió

SI2307BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2307BDS-T1-GE3

Stock Part: 171297

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 3.2A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF744PBF

Stock Part: 9639

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 450V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 5.3A, 10V,

Cessió

SISC06DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISC06DN-T1-GE3

Stock Part: 16233

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27.6A (Ta), 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SUD50P04-15-E3

Stock Part: 51935

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7478DP-T1-E3

Stock Part: 72320

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFIB8N50KPBF

Stock Part: 9634

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFL014PBF

Stock Part: 5979

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRCZ44PBF

Stock Part: 6053

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 31A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7114DN-T1-E3

Stock Part: 113510

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.7A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 18.3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI1012X-T1-GE3

Stock Part: 166571

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Cessió

SI2304BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2304BDS-T1-E3

Stock Part: 156329

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.5A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRC530PBF

Stock Part: 9604

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 8.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF634NSPBF

Stock Part: 9603

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 250V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 435 mOhm @ 4.8A, 10V,

Cessió

SIRA16DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIRA16DP-T1-GE3

Stock Part: 188301

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFP354PBF

Stock Part: 9629

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 450V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 8.4A, 10V,

Cessió

SIR468DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIR468DP-T1-GE3

Stock Part: 125225

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRF640LPBF

Stock Part: 9700

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SUD25N15-52-E3

Stock Part: 85786

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

SI2338DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2338DS-T1-GE3

Stock Part: 132450

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió

SI3443DDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3443DDV-T1-GE3

Stock Part: 117106

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), 5.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFB9N30APBF

Stock Part: 9644

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 300V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 5.6A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

IRFR9110TRPBF

Stock Part: 189451

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V,

Cessió

3600

«
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
»