Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

Vishay Siliconix

SI4409DY-T1-E3

Stock Part: 1075

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 6V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI4406DY-T1-E3

Stock Part: 1020

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SIE844DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE844DF-T1-GE3

Stock Part: 1087

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 44.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12.1A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SUM90P10-19-E3

Stock Part: 1159

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SQD50N04-09H-GE3

Vishay Siliconix

SQD50N04-09H-GE3

Stock Part: 1184

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SIJ400DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIJ400DP-T1-GE3

Stock Part: 6205

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SI7664DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7664DP-T1-GE3

Stock Part: 1113

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SUD50P10-43-E3

Stock Part: 1087

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 9.4A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7388DP-T1-E3

Stock Part: 1082

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 19A, 10V,

Cessió

SIB411DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB411DK-T1-GE3

Stock Part: 1086

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

Cessió

SI7476DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7476DP-T1-GE3

Stock Part: 1107

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

SUM40N02-12P-E3

Vishay Siliconix

SUM40N02-12P-E3

Stock Part: 1078

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7495DP-T1-E3

Stock Part: 1090

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 4.5V,

Cessió

SI7358ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7358ADP-T1-GE3

Stock Part: 1081

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 23A, 10V,

Cessió

SI4860DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4860DY-T1-GE3

Stock Part: 1031

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 16A, 10V,

Cessió

SI1405BDH-T1-E3

Vishay Siliconix

SI1405BDH-T1-E3

Stock Part: 1044

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI6473DQ-T1-E3

Stock Part: 1120

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

Cessió

SI7368DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7368DP-T1-GE3

Stock Part: 1045

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

SI3805DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI3805DV-T1-GE3

Stock Part: 161281

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI4453DY-T1-E3

Stock Part: 1038

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

Cessió

SI6465DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI6465DQ-T1-GE3

Stock Part: 1118

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 8V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 8.8A, 4.5V,

Cessió

SIB488DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIB488DK-T1-GE3

Stock Part: 199886

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7156DP-T1-E3

Stock Part: 6202

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI4346DY-T1-E3

Stock Part: 157533

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió

SI4836DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4836DY-T1-GE3

Stock Part: 1061

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Cessió

SI1300BDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1300BDL-T1-GE3

Stock Part: 6182

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 400mA (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 250mA, 4.5V,

Cessió

SI7452DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7452DP-T1-GE3

Stock Part: 1130

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 19.3A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI7440DP-T1-E3

Stock Part: 1040

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI4688DY-T1-E3

Stock Part: 1079

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

Vishay Siliconix

SI4196DY-T1-E3

Stock Part: 1014

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8A, 4.5V,

Cessió

SI7388DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7388DP-T1-GE3

Stock Part: 1128

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 19A, 10V,

Cessió

SI7454CDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7454CDP-T1-GE3

Stock Part: 947

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 30.5 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

SI1307DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1307DL-T1-GE3

Stock Part: 1058

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 850mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 1A, 4.5V,

Cessió

SUD06N10-225L-E3

Vishay Siliconix

SUD06N10-225L-E3

Stock Part: 962

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

SI5402DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5402DC-T1-GE3

Stock Part: 1065

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

Cessió

SI4833ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4833ADY-T1-GE3

Stock Part: 1108

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 10V,

Cessió

3600

«
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
»