Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Transistors: FET, MOSFET: senzill

  • Casa
  •  
  • Transistors: FET, MOSFET: senzill
SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

Stock Part: 70460

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

Cessió
SI4368DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

Stock Part: 43176

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

Stock Part: 248

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

Stock Part: 171482

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Cessió
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

Stock Part: 33676

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SIRA90DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

Stock Part: 245

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SISS67DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

Stock Part: 244

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

Stock Part: 113255

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

Cessió
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

Stock Part: 187703

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

Stock Part: 193041

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

Stock Part: 110153

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

Stock Part: 130549

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

Stock Part: 258

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

Stock Part: 113283

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

Cessió
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

Stock Part: 37055

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

Cessió
SIE808DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

Stock Part: 35066

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

Stock Part: 265

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22.4A (Ta), 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

Stock Part: 57373

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

Stock Part: 52849

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Cessió
SI7862ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

Stock Part: 30546

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 16V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

Cessió
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

Stock Part: 237

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

Stock Part: 249

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 51A (Ta), 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

Stock Part: 199708

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
SIHA17N80E-E3
Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

Stock Part: 13653

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

Cessió
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

Stock Part: 30993

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

Stock Part: 255

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 7.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

Stock Part: 261

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 71.9A (Ta), 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

Stock Part: 122281

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

Cessió
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

Stock Part: 66462

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 7.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

Stock Part: 44771

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 12V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

Cessió
SIR180DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

Stock Part: 219

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 32.4A (Ta), 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 7.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

Stock Part: 232

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12.4A (Ta), 45A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 7.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

Stock Part: 111133

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

Stock Part: 251

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 7.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

Stock Part: 296

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 7.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

Stock Part: 64154

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 7.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió