Transistors: bipolars (BJT): individuals

Casa
Transistors: bipolars (BJT): individuals

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-16 B1G

Stock Part: 169

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 25V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC846AW RFG

Stock Part: 185

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549A B1G

Stock Part: 216

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550B A1G

Stock Part: 174

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548C A1G

Stock Part: 203

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC850CW RFG

Stock Part: 205

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549C A1G

Stock Part: 260

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 15nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-25 A1G

Stock Part: 180

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 800mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC846A RFG

Stock Part: 241

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847CW RFG

Stock Part: 189

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC848BW RFG

Stock Part: 246

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC846B RFG

Stock Part: 24305

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 65V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847B RFG

Stock Part: 38702

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 100mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 45V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC742CZ C0G

Stock Part: 123

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 420V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 250µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 48 @ 100mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-GR B1G

Stock Part: 104

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-BL B1G

Stock Part: 125

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSA894CT B0G

Stock Part: 147

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 500V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5303DCHC5G

Stock Part: 203

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 400mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5302DCHC5G

Stock Part: 163

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 1A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-Y B1G

Stock Part: 143

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-O B1G

Stock Part: 89

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5802DCHC5G

Stock Part: 172

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 450V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 600mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 250µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5304EDCHC5G

Stock Part: 122

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 4A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 250µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 17 @ 1A, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5804DCHC5G

Stock Part: 198

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 450V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 3.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 250µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 25 @ 200mA, 3V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TS13005CK B0G

Stock Part: 86

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 10µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 24 @ 425mA, 2V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSB772CK C0G

Stock Part: 305

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 3A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 30V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-O A1G

Stock Part: 190

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5804DCP ROG

Stock Part: 215

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 450V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 3.5A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 250µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 25 @ 200mA, 3V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSA1765CW RPG

Stock Part: 315

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 560V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TS13002ACT B0G

Stock Part: 249

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 300mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 400V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 200mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 1µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-BL A1G

Stock Part: 178

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC741CZ C0G

Stock Part: 163

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 450V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 2V @ 600mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 250µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

KTC3198-Y A1G

Stock Part: 206

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 50V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSA884CX RFG

Stock Part: 212

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 500V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSC5802DCP ROG

Stock Part: 197

Tipus de transistor: NPN, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 2.5A, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 450V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 3V @ 600mA, 2A, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 250µA, Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Cessió

Taiwan Semiconductor Corporation

TSA874CW RPG

Stock Part: 317

Tipus de transistor: PNP, Actual: col·leccionista (Ic) (màx.): 150mA, Voltatge: desglossament de l'emissor del col·lector (màxim): 500V, Saturació Vce (màx) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA, Actual: límit de col·leccionista (màxim): 100nA (ICBO), Guany de corrent continu (hFE) (mínim) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 10V,

Cessió

134

«
1
2
3
4
»