Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Individuals

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Individuals
ES2FHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2FHM4G

Stock Part: 93

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
HS2G M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

HS2G M4G

Stock Part: 106

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
SK320AHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK320AHM2G

Stock Part: 75

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S3MB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S3MB M4G

Stock Part: 69

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 3A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.5µs,

Cessió
SK83C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V7G

Stock Part: 111

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS3G V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3G V7G

Stock Part: 130

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 150ns,

Cessió
SK13B M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B M4G

Stock Part: 70

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS2K M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2K M4G

Stock Part: 97

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió
S12GC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V6G

Stock Part: 65

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS3M V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS3M V6G

Stock Part: 56

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió
ESH3C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3C V6G

Stock Part: 130

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió
S12JC V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V6G

Stock Part: 107

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S1AB R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1AB R5G

Stock Part: 75

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS34 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS34 V6G

Stock Part: 126

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S2A M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S2A M4G

Stock Part: 77

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.15V @ 2A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.5µs,

Cessió
SK84C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK84C V7G

Stock Part: 140

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S12JC V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

S12JC V7G

Stock Part: 89

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual: mitjana rectificada (Io): 12A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 12A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SK83C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK83C V6G

Stock Part: 142

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS320 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS320 V6G

Stock Part: 90

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ES3B V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3B V7G

Stock Part: 123

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 35ns,

Cessió
SS29 M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS29 M4G

Stock Part: 57

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SS23HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS23HM4G

Stock Part: 115

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS2KA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2KA M2G

Stock Part: 105

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió
SK59BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK59BHM4G

Stock Part: 61

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
RS2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2MA M2G

Stock Part: 130

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 1.5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 1.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 500ns,

Cessió
SS22HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22HR5G

Stock Part: 112

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ESH2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2B R5G

Stock Part: 76

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 20ns,

Cessió
S1MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MBHM4G

Stock Part: 119

Tipus de díode: Standard, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 1A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SK35AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK35AHR3G

Stock Part: 53

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 720mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
ESH1B R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B R3G

Stock Part: 144

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 15ns,

Cessió
US1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation

US1GHR3G

Stock Part: 102

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 50ns,

Cessió
ESH2BA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2BA R3G

Stock Part: 67

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 1A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 25ns,

Cessió
SS33 V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

SS33 V6G

Stock Part: 58

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
S4K V6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S4K V6G

Stock Part: 87

Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual: mitjana rectificada (Io): 4A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Temps de recuperació inversa (TRR): 1.5µs,

Cessió
SK23A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK23A M2G

Stock Part: 111

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 30V, Actual: mitjana rectificada (Io): 2A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 500mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SK19BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK19BHM4G

Stock Part: 128

Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual: mitjana rectificada (Io): 1A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 3A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió