Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Matrius
HERF1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1005G C0G

Stock Part: 147

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR10100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10100CT C0G

Stock Part: 113

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

Stock Part: 157

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR20200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

Stock Part: 152

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.23V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRF2090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2090 C0G

Stock Part: 130

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR30L60CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L60CT C0G

Stock Part: 87

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 600mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF2035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2035CT C0G

Stock Part: 75

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF30L45CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30L45CT C0G

Stock Part: 69

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 740mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF2550CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2550CTHC0G

Stock Part: 130

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 50V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 12.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF10150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10150CTHC0G

Stock Part: 80

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF30150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30150CT C0G

Stock Part: 69

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.05V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
HERF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1604G C0G

Stock Part: 160

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF1035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1035CT C0G

Stock Part: 140

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UGF1004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF1004GHC0G

Stock Part: 76

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR1035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1035CT C0G

Stock Part: 99

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MURF1660CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MURF1660CTHC0G

Stock Part: 115

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.5V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF3060CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3060CT C0G

Stock Part: 159

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF25150CTHC0G

Stock Part: 133

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.02V @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CTHC0G

Stock Part: 133

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRF2090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2090HC0G

Stock Part: 151

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF1060CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1060CTHC0G

Stock Part: 65

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF30100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30100CTHC0G

Stock Part: 87

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 940mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF3045CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3045CTHC0G

Stock Part: 90

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF30100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF30100CT C0G

Stock Part: 101

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 940mV @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620 C0G

Stock Part: 119

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UG1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG1006G C0G

Stock Part: 73

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1690 C0G

Stock Part: 131

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
HER1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1603G C0G

Stock Part: 145

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRS2060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2060HMNG

Stock Part: 92

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
HER1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1003G C0G

Stock Part: 134

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR25100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25100CTHC0G

Stock Part: 137

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 920mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF2545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2545CT C0G

Stock Part: 77

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 12.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MUR1640CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1640CTHC0G

Stock Part: 89

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.3V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS1060CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CTHMNG

Stock Part: 164

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1660HC0G

Stock Part: 112

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRS1060 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060 MNG

Stock Part: 105

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió