Menu
CatalàCatalà
RFQS / ORDRE
0RFQS / ORDRE

Diodes - Rectificadors - Matrius

  • Casa
  •  
  • Diodes - Rectificadors - Matrius
MBRS1560CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1560CT-Y MNG

Stock Part: 97

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2045PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2045PTHC0G

Stock Part: 150

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2545CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2545CTHC0G

Stock Part: 79

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR10200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10200CT C0G

Stock Part: 154

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 980mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1560CTHC0G

Stock Part: 149

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 750mV @ 7.5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRF1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1690 C0G

Stock Part: 171

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
GP1006 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1006 C0G

Stock Part: 97

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS20H200CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20H200CT MNG

Stock Part: 143

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 970mV @ 2A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR1640HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640HC0G

Stock Part: 108

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 40V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2035CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035CT C0G

Stock Part: 161

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS1045CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1045CT MNG

Stock Part: 145

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRF1535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1535CT C0G

Stock Part: 87

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 35V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 840mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS25H45CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS25H45CT MNG

Stock Part: 157

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
HERF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1607G C0G

Stock Part: 116

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRS10150 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10150 MNG

Stock Part: 108

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR30L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L100CT C0G

Stock Part: 133

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 30A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 770mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2090CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2090CTHC0G

Stock Part: 96

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 950mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRS1690HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1690HMNG

Stock Part: 88

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 90V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 900mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS2545CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2545CT MNG

Stock Part: 116

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 820mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
HER1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1007G C0G

Stock Part: 109

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 800V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRF10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF10150HC0G

Stock Part: 114

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 5A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SR16150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR16150PT C0G

Stock Part: 163

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UGF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006G C0G

Stock Part: 78

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 400V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS15H45CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15H45CT MNG

Stock Part: 162

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 15A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 800mV @ 15A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
GP1002 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1002 C0G

Stock Part: 170

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 5A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRS2020 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020 MNG

Stock Part: 125

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRF1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1660HC0G

Stock Part: 145

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 60V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR2545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2545CT C0G

Stock Part: 149

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 25A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 25A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS2045CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2045CT-Y MNG

Stock Part: 100

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 45V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 700mV @ 10A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
UG6005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG6005PT C0G

Stock Part: 160

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 300V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 60A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.25V @ 30A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR20L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CT C0G

Stock Part: 152

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 850mV @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
SRF1620 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1620 C0G

Stock Part: 117

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 20V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 550mV @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
HER1606PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1606PT C0G

Stock Part: 122

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.7V @ 8A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBR40100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR40100PT C0G

Stock Part: 97

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 100V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 40A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
MBRS20150CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20150CTHMNG

Stock Part: 83

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 150V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 20A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.23V @ 20A, Velocitat: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Cessió
GP1605 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1605 C0G

Stock Part: 108

Configuració del díode: 1 Pair Common Cathode, Tipus de díode: Standard, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 16A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.1V @ 8A, Velocitat: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Cessió