Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: General Purpose, Interfície: SPI, Tipus de càrrega: Inductive, Capacitive, Resistive, Tecnologia: PMOS,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 125 mOhm (Max),
Configuració de sortida: Half Bridge (4), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: BCDMOS, RDS activat (típic): 1.2 Ohm,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: General Purpose, Interfície: SPI, Tipus de càrrega: Inductive, Capacitive, Resistive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 400 mOhm LS + HS,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 95 mOhm (Max),
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Capacitive, Resistive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 50 mOhm (Max),
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 120 mOhm (Max),
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: General Purpose, Interfície: SPI, Tipus de càrrega: Inductive, Capacitive, Resistive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 400 mOhm LS + HS,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 95 mOhm (Max),
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 160 mOhm (Max),
Configuració de sortida: Half Bridge (3), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 400 mOhm LS + HS,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: BCDMOS, RDS activat (típic): 300 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 7.3 mOhm LS, 5.7 mOhm HS,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 120 mOhm (Max),
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: BCDMOS, RDS activat (típic): 300 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge (4), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: BCDMOS, RDS activat (típic): 1.2 Ohm,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: BCDMOS, RDS activat (típic): 300 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Capacitive, Resistive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 160 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Capacitive, Resistive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 160 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Relays, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Capacitive, Resistive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 160 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge (4), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: PWM, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 400 mOhm LS + HS,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: BCDMOS, RDS activat (típic): 300 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: DC Motors, General Purpose, Interfície: Logic, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: BCDMOS, RDS activat (típic): 300 mOhm,