Transistors: FET, MOSFET: senzill

SCT50N120

SCT50N120

Stock Part: 1921

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: SiCFET (Silicon Carbide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 20V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 40A, 20V,

Cessió
STK22N6F3

STK22N6F3

Stock Part: 2311

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió
STD50N03L

STD50N03L

Stock Part: 5691

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió
STP30NF20

STP30NF20

Stock Part: 24023

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
STP2N62K3

STP2N62K3

Stock Part: 50234

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 620V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.1A, 10V,

Cessió
STP85NF55L

STP85NF55L

Stock Part: 22719

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

Cessió
STW28NM50N

STW28NM50N

Stock Part: 10124

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 10.5A, 10V,

Cessió
STFI34N65M5

STFI34N65M5

Stock Part: 11491

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 14A, 10V,

Cessió
STFI26N60M2

STFI26N60M2

Stock Part: 19864

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió
STFI6N62K3

STFI6N62K3

Stock Part: 33051

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 620V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

Cessió
STF21N90K5

STF21N90K5

Stock Part: 10101

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 9A, 10V,

Cessió
STP15NK50ZFP

STP15NK50ZFP

Stock Part: 16451

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 7A, 10V,

Cessió
STP5NK60Z

STP5NK60Z

Stock Part: 37225

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Cessió
STP77N6F6

STP77N6F6

Stock Part: 41397

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 38.5A, 10V,

Cessió
STP80NF70

STP80NF70

Stock Part: 31611

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 68V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 98A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 40A, 10V,

Cessió
STD80N6F6

STD80N6F6

Stock Part: 83863

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 40A, 10V,

Cessió
STL75NH3LL

STL75NH3LL

Stock Part: 2236

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió
STP140N6F7

STP140N6F7

Stock Part: 27364

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 40A, 10V,

Cessió
STFI9N80K5

STFI9N80K5

Stock Part: 28702

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Cessió
STFI10NK60Z

STFI10NK60Z

Stock Part: 26244

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4.5A, 10V,

Cessió
STU65N3LLH5

STU65N3LLH5

Stock Part: 58586

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 32.5A, 10V,

Cessió
STFI20NK50Z

STFI20NK50Z

Stock Part: 16719

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.5A, 10V,

Cessió
STF8N65M5

STF8N65M5

Stock Part: 26578

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

Cessió
STV160NF03LT4

STV160NF03LT4

Stock Part: 2329

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 80A, 10V,

Cessió
STP75N3LLH6

STP75N3LLH6

Stock Part: 42414

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 37.5A, 10V,

Cessió
STB4N62K3

STB4N62K3

Stock Part: 6264

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 620V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.95 Ohm @ 1.9A, 10V,

Cessió
STFI6N80K5

STFI6N80K5

Stock Part: 28002

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 2A, 10V,

Cessió
STF12NM50ND

STF12NM50ND

Stock Part: 17194

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió
STP4NK60Z

STP4NK60Z

Stock Part: 47939

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V,

Cessió
STF2HNK60Z

STF2HNK60Z

Stock Part: 45271

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió
STP6NK90Z

STP6NK90Z

Stock Part: 25272

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.9A, 10V,

Cessió
STP65NF06

STP65NF06

Stock Part: 38817

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,

Cessió
STF12NK60Z

STF12NK60Z

Stock Part: 30394

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 640 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió
STW12NK90Z

STW12NK90Z

Stock Part: 12820

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 880 mOhm @ 5.5A, 10V,

Cessió
STD75N3LLH6

STD75N3LLH6

Stock Part: 6261

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

Cessió
STW45N65M5

STW45N65M5

Stock Part: 8283

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 650V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 19.5A, 10V,

Cessió