Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 1.53 Ohm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 400 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 1 Ohm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 740 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 600 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 1 Ohm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 740 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 260 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 600 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: On/Off, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 1.53 Ohm,
