Transistors: FET, MOSFET: senzill

2SK3892

2SK3892

Stock Part: 11969

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 11A, 10V,

Cessió
2SK3048

2SK3048

Stock Part: 32345

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Cessió
2SK3043

2SK3043

Stock Part: 31742

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 450V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

Cessió
2SK3046

2SK3046

Stock Part: 24158

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

Cessió
2SK3045

2SK3045

Stock Part: 37750

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1.5A, 10V,

Cessió
2SK3064G0L

2SK3064G0L

Stock Part: 2106

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

Cessió
2SK302200L

2SK302200L

Stock Part: 1551

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió
2SK326800L

2SK326800L

Stock Part: 1465

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió
2SK303000L

2SK303000L

Stock Part: 84713

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 4A, 10V,

Cessió
2SK302500L

2SK302500L

Stock Part: 40869

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió
2SK303100L

2SK303100L

Stock Part: 70055

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 8A, 10V,

Cessió
2SK327700L

2SK327700L

Stock Part: 97609

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.25A, 10V,

Cessió
2SK1374G0L

2SK1374G0L

Stock Part: 648

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Cessió
2SJ0674G0L

2SJ0674G0L

Stock Part: 636

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió
2SK0601G0L

2SK0601G0L

Stock Part: 707

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió
2SJ0536G0L

2SJ0536G0L

Stock Part: 713

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

Cessió
2SK3547G0L

2SK3547G0L

Stock Part: 594

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió
2SK0664G0L

2SK0664G0L

Stock Part: 599

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

Cessió
2SK3539G0L

2SK3539G0L

Stock Part: 585

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió
2SK3546G0L

2SK3546G0L

Stock Part: 612

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió
2SK137400L

2SK137400L

Stock Part: 9805

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Cessió
2SK066500L

2SK066500L

Stock Part: 9747

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

Cessió
2SJ067400L

2SJ067400L

Stock Part: 9814

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió
2SJ058200L

2SJ058200L

Stock Part: 9829

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió
2SK3318

2SK3318

Stock Part: 9808

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 7.5A, 10V,

Cessió
2SK354700L

2SK354700L

Stock Part: 9526

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió
2SK3546J0L

2SK3546J0L

Stock Part: 9480

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Cessió
2SK0665G0L

2SK0665G0L

Stock Part: 9355

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

Cessió
2SK221100L

2SK221100L

Stock Part: 9251

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió
2SK0615

2SK0615

Stock Part: 9274

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió
2SK066400L

2SK066400L

Stock Part: 9187

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 20mA, 5V,

Cessió
2SK122800L

2SK122800L

Stock Part: 5951

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Cessió
2SK353900L

2SK353900L

Stock Part: 9183

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 50V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 4V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Cessió
2SK060100L

2SK060100L

Stock Part: 9182

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió
2SK306400L

2SK306400L

Stock Part: 9142

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

Cessió
2SJ053600L

2SJ053600L

Stock Part: 9187

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

Cessió