Transistors: FET, MOSFET: senzill

Casa
Transistors: FET, MOSFET: senzill

BUK761R7-40E,118

Nexperia USA Inc.

BUK761R7-40E,118

Stock Part: 64866

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

Nexperia USA Inc.

BUK7880-55/CUF

Stock Part: 137946

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

BUK7107-55ATE,118

Nexperia USA Inc.

BUK7107-55ATE,118

Stock Part: 8606

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió

BUK661R6-30C,118

Nexperia USA Inc.

BUK661R6-30C,118

Stock Part: 63697

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9628-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9628-55A,118

Stock Part: 154200

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Nexperia USA Inc.

BUK6D43-60EX

Stock Part: 24356

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

BUK7Y18-75B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-75B,115

Stock Part: 197618

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Nexperia USA Inc.

BUK6D120-60PX

Stock Part: 24343

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), 8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V,

Cessió

Nexperia USA Inc.

BUK9840-55/CUX

Stock Part: 139579

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 10.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 5V,

Cessió

BUK9Y104-100B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y104-100B,115

Stock Part: 164195

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 14.8A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

Nexperia USA Inc.

BUK9M14-40EX

Stock Part: 179377

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

BUK964R8-60E,118

Nexperia USA Inc.

BUK964R8-60E,118

Stock Part: 72266

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK765R0-100E,118

Nexperia USA Inc.

BUK765R0-100E,118

Stock Part: 47693

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK6610-75C,118

Nexperia USA Inc.

BUK6610-75C,118

Stock Part: 112806

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 78A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK763R9-60E,118

Nexperia USA Inc.

BUK763R9-60E,118

Stock Part: 64641

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9230-100B,118

Nexperia USA Inc.

BUK9230-100B,118

Stock Part: 59587

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9275-100A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9275-100A,118

Stock Part: 172654

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 21.7A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V,

Cessió

BUK6217-55C,118

Nexperia USA Inc.

BUK6217-55C,118

Stock Part: 159020

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

BUK7219-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK7219-55A,118

Stock Part: 184579

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9215-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9215-55A,118

Stock Part: 184578

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13.6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9240-100A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9240-100A,118

Stock Part: 151749

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9207-30B,118

Nexperia USA Inc.

BUK9207-30B,118

Stock Part: 152477

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK6209-30C,118

Nexperia USA Inc.

BUK6209-30C,118

Stock Part: 102855

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 12A, 10V,

Cessió

BUK96180-100A,118

Nexperia USA Inc.

BUK96180-100A,118

Stock Part: 147944

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V,

Cessió

BUK9614-60E,118

Nexperia USA Inc.

BUK9614-60E,118

Stock Part: 122604

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 15A, 10V,

Cessió

Nexperia USA Inc.

BUK7Y4R4-40EX

Stock Part: 176281

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

Nexperia USA Inc.

BUK7Y7R8-80EX

Stock Part: 118582

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 80V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9Y6R0-60E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y6R0-60E,115

Stock Part: 141695

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK7E2R6-60E,127

Nexperia USA Inc.

BUK7E2R6-60E,127

Stock Part: 29265

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9Y19-75B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-75B,115

Stock Part: 140943

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 48.2A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

BUK765R3-40E,118

Nexperia USA Inc.

BUK765R3-40E,118

Stock Part: 141625

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9209-40B,118

Nexperia USA Inc.

BUK9209-40B,118

Stock Part: 149318

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK7210-55B,118

Nexperia USA Inc.

BUK7210-55B,118

Stock Part: 152495

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK9219-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9219-55A,118

Stock Part: 172078

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK7222-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK7222-55A,118

Stock Part: 187022

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

BUK663R2-40C,118

Nexperia USA Inc.

BUK663R2-40C,118

Stock Part: 91480

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

1135

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»