Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: PWM, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 100 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: PWM, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 100 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: PWM, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 100 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: General Purpose, Interfície: PWM, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 150 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: PWM, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 100 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge (2), Aplicacions: General Purpose, Interfície: PWM, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 150 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: PWM, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 100 mOhm,
Configuració de sortida: Half Bridge, Aplicacions: General Purpose, Interfície: PWM, Tipus de càrrega: Inductive, Tecnologia: Power MOSFET, RDS activat (típic): 100 mOhm,