Transistors: FET, MOSFET: senzill | Productes de semiconductors discrets | 6

2N6661

Stock Part: 6316

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 90V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

2N7008-G

Stock Part: 138197

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

2N6660

Stock Part: 6315

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 410mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

2N7002-G

Stock Part: 134471

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

2N7000-G

Stock Part: 187823

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

VP0550N3-G-P013

Stock Part: 53675

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 54mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TN2540N3-G-P002

Stock Part: 74193

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 175mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

MCP87030T-U/MF

Stock Part: 103880

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

MCP87050T-U/MF

Stock Part: 146526

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

VN0300L-G-P002

Stock Part: 81152

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 30V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 640mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

VN1206L-G-P002

Stock Part: 58212

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 120V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 230mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 2.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TN0620N3-G-P002

Stock Part: 71231

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TN2130K1-G

Stock Part: 145339

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 300V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 85mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 4.5V,

Cessió

Microchip Technology

VN0104N3-G-P013

Stock Part: 139578

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TN2640LG-G

Stock Part: 51374

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 400V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

VP2206N3-G-P003

Stock Part: 46577

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 640mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TP2502N8-G

Stock Part: 77492

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 20V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 630mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TP2435N8-G

Stock Part: 67130

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 350V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 231mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

MCP87022T-U/MF

Stock Part: 69227

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TN0610N3-G-P013

Stock Part: 89494

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

LND150N3-G-P013

Stock Part: 183588

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Cessió

Microchip Technology

DN1509N8-G

Stock Part: 131170

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 90V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 360mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Cessió

Microchip Technology

TN0106N3-G-P003

Stock Part: 112566

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TN0604N3-G-P013

Stock Part: 87261

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 700mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

MCP87090T-U/LC

Stock Part: 199305

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

Cessió

Microchip Technology

DN2535N3-G-P013

Stock Part: 124551

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 350V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 120mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Cessió

Microchip Technology

LND150N3-G-P014

Stock Part: 183620

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 30mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 0V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Cessió

Microchip Technology

TN0610N3-G-P003

Stock Part: 89433

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 500mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TP2424N8-G

Stock Part: 69759

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 240V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 316mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

MCP87090T-U/MF

Stock Part: 183616

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

Cessió

Microchip Technology

TN0104N3-G-P014

Stock Part: 96882

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 40V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TP2520N8-G

Stock Part: 72715

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 200V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 260mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

VN10KN3-G-P014

Stock Part: 174398

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 60V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 310mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

VN2460N3-G-P003

Stock Part: 77538

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 600V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 4.5V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

TN2425N8-G

Stock Part: 77566

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 25V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 480mA (Tj), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 3V, 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Cessió

Microchip Technology

MIC94051YM4-TR

Stock Part: 191644

Tipus FET: P-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 6V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 1.8V, 4.5V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Cessió