Diodes - Rectificadors - Matrius | Productes de semiconductors discrets | 1

SS275TI12205

Stock Part: 747

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

IXYS-RF

SS150TC60110

Stock Part: 709

Configuració del díode: 3 Common Cathode, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

IXYS-RF

SS150TA60110

Stock Part: 733

Configuració del díode: 3 Common Anode, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

IXYS-RF

SS275TA12205

Stock Part: 711

Configuració del díode: 3 Common Anode, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

IXYS-RF

SS275TC12205

Stock Part: 751

Configuració del díode: 3 Common Cathode, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 1200V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 5A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió

IXYS-RF

SS150TI60110

Stock Part: 671

Configuració del díode: 3 Independent, Tipus de díode: Silicon Carbide Schottky, Voltatge: inversa de CC (Vr) (màx.): 600V, Actual - Mitjana rectificada (Io) (per díode): 10A, Voltatge: endavant (Vf) (màxim) @ Si: 1.8V @ 5A, Velocitat: No Recovery Time > 500mA (Io),

Cessió