Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 15V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 30V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 30V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 6V, 9.5V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 9V ~ 12V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 5V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,
Configuració impulsada: Half-Bridge, Tipus de canal: Synchronous, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 10V ~ 20V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 2V,
Configuració impulsada: High-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 9V ~ 12V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Independent, Nombre de conductors: 2, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
Configuració impulsada: Low-Side, Tipus de canal: Single, Nombre de conductors: 1, Tipus de porta: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Voltatge: subministrament: 4.5V ~ 35V, Voltatge lògic - VIL, VIH: 0.8V, 3V,
