Transistors: FET, MOSFET: senzill

IXTA160N075T7

IXTA160N075T7

Stock Part: 404

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTA220N075T7

IXTA220N075T7

Stock Part: 6052

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTP200N075T

IXTP200N075T

Stock Part: 402

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTA70N085T

IXTA70N085T

Stock Part: 6119

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 85V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTA182N055T

IXTA182N055T

Stock Part: 406

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 182A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTA80N10T7

IXTA80N10T7

Stock Part: 437

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTC240N055T

IXTC240N055T

Stock Part: 425

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 132A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
IXFX44N50Q

IXFX44N50Q

Stock Part: 4589

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 500V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Cessió
IXTC160N10T

IXTC160N10T

Stock Part: 443

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXFH36N55Q2

IXFH36N55Q2

Stock Part: 4733

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 550V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió
IXTQ200N075T

IXTQ200N075T

Stock Part: 378

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTK180N15

IXTK180N15

Stock Part: 4322

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 150V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió
IXTA152N085T

IXTA152N085T

Stock Part: 427

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 85V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 152A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXUN350N10

IXUN350N10

Stock Part: 490

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 100V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 350A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 175A, 10V,

Cessió
IXTQ160N085T

IXTQ160N085T

Stock Part: 464

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 85V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
IXTH250N075T

IXTH250N075T

Stock Part: 439

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
IXTH280N055T

IXTH280N055T

Stock Part: 456

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 280A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
IXTQ180N085T

IXTQ180N085T

Stock Part: 413

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 85V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTH12N100L

IXTH12N100L

Stock Part: 4905

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 20V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 500mA, 20V,

Cessió
IXTC250N075T

IXTC250N075T

Stock Part: 425

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 128A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXFV52N30P

IXFV52N30P

Stock Part: 383

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 300V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió
IXTQ280N055T

IXTQ280N055T

Stock Part: 375

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 280A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
IXTA160N075T

IXTA160N075T

Stock Part: 353

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTA98N075T

IXTA98N075T

Stock Part: 6117

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 98A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V,

Cessió
IXFT12N100

IXFT12N100

Stock Part: 4589

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 1000V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 1.05 Ohm @ 6A, 10V,

Cessió
IXFV12N80PS

IXFV12N80PS

Stock Part: 6127

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 500mA, 10V,

Cessió
IXFH26N55Q

IXFH26N55Q

Stock Part: 386

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 550V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 26A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

Cessió
IXTA240N055T

IXTA240N055T

Stock Part: 384

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 240A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTA88N085T7

IXTA88N085T7

Stock Part: 395

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 85V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTV230N085T

IXTV230N085T

Stock Part: 415

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 85V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 230A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V,

Cessió
IXTH200N075T

IXTH200N075T

Stock Part: 406

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTC220N075T

IXTC220N075T

Stock Part: 417

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 75V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 115A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXFC10N80P

IXFC10N80P

Stock Part: 406

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 800V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc),

Cessió
IXTH182N055T

IXTH182N055T

Stock Part: 385

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 55V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 182A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXTA200N085T

IXTA200N085T

Stock Part: 400

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 85V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Cessió
IXCY01N90E

IXCY01N90E

Stock Part: 414

Tipus FET: N-Channel, Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide), Voltatge de desguàs fins a la font (Vdss): 900V, Actual: drenatge continu (Id) @ 25 ° C: 250mA (Tc), Voltatge de la unitat (Rds màx. Activades, Rds mínimes activades): 10V, RDS activat (màxim) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Cessió